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法国 SOITEC 公司与新加坡南洋理工大学的研究人员报道，适度微缩的硅基氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN-on-Si HEMT）在 30GHz 工作时，功率附加效率（PAE）突破 60%。该器件同时
有消息称，比亚迪正在其中国深圳总部，对这款创下纪录的 1500 千瓦（1.5 兆瓦）闪充设备开展内部最终阶段测试。该充电设备的功率约为特斯拉第四代超级充电桩（500 千瓦）的 3 倍，其设计初衷是让电
从认知到行动：弥合AI性别差距需采取战略性举措 作者：Cloudera亚太地区高级副总裁林万发 时间：2026-03-04 来源： 加入技术交流群 扫码加入和技术大咖面对面交流海量资料库查询 今年的国
HBM竞赛白热化！SK海力士探索封装新方案 或满足英伟达峰值性能目标 作者： 时间：2026-03-04 来源：财联社 加入技术交流群 扫码加入和技术大咖面对面交流海量资料库查询 《科创板日报》3月4
MWC 2026风向标：BOE（京东方）以创新技术赋能全球伙伴，“好屏”定义显示行业新高度 作者： 时间：2026-03-04 来源： 加入技术交流群 扫码加入和技术大咖面对面交流海量资料库查询 3月
